如何測電力設備的介質(zhì)損耗因數其原理在前面已經(jīng)講過(guò)，tgδ是IR/IC的比值，它能反映電介質(zhì)內單位體積中能量損耗的大小，只與電介質(zhì)的性質(zhì)有關(guān)，而與其體積大小尺寸均沒(méi)有關(guān)系。因此，tgδ的測試目的，也是能夠有效地發(fā)現設備絕緣的普遍老化、受潮、臟污等整體缺陷。對小電容設備，如套管、互感器(電容式)也能夠發(fā)現內部是否存在氣隙及固定絕緣開(kāi)裂等集中性的局部絕緣缺陷。

　　但要說(shuō)明一點(diǎn)的是，針對大電容的設備如變壓器、電纜等進(jìn)行tgδ的測量時(shí)，只能發(fā)現他們的整體分布性缺陷，而其局部集中性的缺陷可能不會(huì )被發(fā)現;而對于套管、互感器等小電容量的設備，測tgδ能有效地發(fā)現其局部集中性和整體分布性的缺陷，詳見(jiàn)如下分析。這也是大型變壓器不僅要單獨測試引出線(xiàn)套管的tgδ，也要測套管連同繞組的介損tgδ，就是因為套管若有缺陷時(shí)在整體絕緣良好時(shí)不能體現出來(lái)。

　　一般設備的絕緣結構都由多層絕緣、多種材料構成。如局部有缺陷絕緣用C 1 tgδ1表示，其他良好絕緣用C 2tgδ2表示，兩部分并聯(lián)，則有P1=C 1 tgδ1 P2=C 2 tgδ2

　　而總的損耗為P=U2 ωC tgδ ①

　　U、ω一定時(shí)，P與C、tgδ有關(guān)， → P=C 1 tgδ1 + C 2 tgδ2 又C=C1 + C2

　　則 C 1 tgδ1 + C 2 tgδ2=C tgδ

　　tgδ=(C 1 tgδ1 + C 2 tgδ2)/(C1 + C2) ②

　　若套管電容C 1=250PF，tgδ1=5% (超差)

　　而變壓器電容C 2=10000PF，tgδ2=0.4% (良好)

　　從②式可以看出總tgδ=0.5 % (合格)，可見(jiàn)明顯形成了誤判斷。

　　設備的選取及常規試驗方法：因為精度和靈敏度的原因，測變壓器和一般套管的介損時(shí)(包括電容式CT)，應采用光導介損測試儀，而當測試電容式PT電容量和tgδ時(shí)，可采用異頻介損測試儀，它介紹了CVT的中壓電容C 2 的測試方法，比較方便(自激法)。兩者的原理前者是通過(guò)比較內部標準回路電流和被試品的電流的幅值及相互的相差，后者是電橋原理，離散傅立葉算法。一般接線(xiàn)形式主要有二種：正接法：適用于測量?jì)上鄬Φ亟^緣的設備，測試精度較高，如套管和電容式CT的主絕緣tgδ，耦合電容的的tgδ等;反接法：適用于測量一級接地的設備，儀器的外殼必須接地可靠，如變壓器連同套管和繞組的tgδ，套管和電容式CT的末屏tgδ等。另外還有自激法，對角接線(xiàn)等，不同的試驗設備均有不同的接線(xiàn)形式，取決于現場(chǎng)環(huán)境及標準設備。

　　需要說(shuō)明的是現場(chǎng)試驗時(shí)要創(chuàng )造條件，力求測試精度，如主變高低壓側套管的tgδ測試必須要用正接法，應要求安裝單位制作測試平臺，以達到兩極絕緣的條件。

　　對于CVT中壓電容的tgδ測試，應充分理解儀器的操作程序，按照其說(shuō)明，操作規程進(jìn)行試驗。

　　交接規程的一般要求及條款：電力變壓器：當電壓等級為35KV及以上，且容量在8000KVA以上時(shí)，應測試tgδ，其tgδ值不應大于產(chǎn)品出廠(chǎng)試驗值的130%，對于300MW或600MW機組的廠(chǎng)高變，一般未達到上述要求，交接試驗可不作;但一般廠(chǎng)家出廠(chǎng)試驗均有該項目的數據，為充分體現對用戶(hù)負責的思想，建議測試以便比較，但不出試驗報告?；ジ衅鳎阂幎?0℃下電流互感器(油紙電容式)的tgδ，220KV≤0.6%，330KV≤0.5，500KV≤0.5。其電容與銘牌差值應在±10%之內，只針對主絕緣。而電壓互感器只規定了35KV及以上油浸式的tgδ值，35KV的20℃時(shí)≤3.5%，35KV以上的不應大于出廠(chǎng)值的130%。套管：現場(chǎng)一般有油紙電容式，20-500KV下，tgδ≤0.7%，電容差值在±10%范圍內。說(shuō)明一點(diǎn)，不管電容式CT還是電容式套管，都會(huì )有末屏，應在測主絕緣tgδ之前進(jìn)行末屏的測絕緣，用2500V搖表，應大于1000MΩ，有的出廠(chǎng)試驗也有末屏tgδ值，因此絕緣達不到要求時(shí)，應測tgδ以便比較，但是試驗電壓應控制在2KV。

　　另外，tgδ值都規定了相應的溫度值，是因為溫度對tgδ值的影響較大，一般隨著(zhù)溫度上升，tgδ值也增大，因此規定了溫度換算，一般應校正到20℃時(shí)進(jìn)行與廠(chǎng)家試驗數據的比較，換算公式為：

　　環(huán)境溫度高于20℃時(shí)，tgδ20=tgδt / A

　　環(huán)境溫度低于20℃時(shí)，tgδ20=tgδt * A

　　A：與20℃溫差絕對值不同的換算系數，見(jiàn)規程。

　　一般操作步驟和注意事項：按常規異頻介損測試儀的操作規程與相應的作業(yè)指導書(shū)相關(guān)條款進(jìn)行操作。試驗應良好的天氣、環(huán)境溫度不低于5℃和濕度不大于80%的條件下進(jìn)行，測試前應測量被試品各電極間的絕緣電阻，必要時(shí)對小套管進(jìn)行清潔和干燥處理。

　　接地必須牢靠，符合“安規”中高壓試驗的條款規定，正接法時(shí)低壓側的引線(xiàn)也應有絕緣要求，不得與外殼接觸。

　　對于試驗電壓的大小，前面提到P=U2 ωC tgδ，P與電壓有關(guān)，良好絕緣的tgδ不會(huì )隨電壓的升高而明顯增加，但若有內部缺陷時(shí)則tgδ會(huì )隨電壓的升高而明顯增加。因此對于試驗電壓一般為10KV，但對于電容式套管或CT的末屏和電容式電壓互感器中壓電容的tgδ測試時(shí)，則應降低電壓標準使用2000V或3000V左右。測變壓器的tgδ時(shí)應將其他側短接接地。

　　對試驗結果的分析：應根據廠(chǎng)家出廠(chǎng)試驗數據和交規進(jìn)行綜合判斷，尤其應注意避免套管末屏的臟污情況，還有環(huán)境溫度、濕度的影響，經(jīng)過(guò)出廠(chǎng)測試合格的產(chǎn)品若現場(chǎng)測試值差，一般應考慮環(huán)境影響和受潮情況。

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